硅鋁合金球的熱膨脹系數(shù)低，密度低，導熱系數(shù)高，導電性好(電磁干擾/射頻干擾屏蔽性能優(yōu)異)，硬度高，熱機械穩(wěn)定性好，密度高，加工方便，涂層保護方便，以及組裝工藝的標準微電子兼容性等。

　　這種球里面的硅含量為27%-70%，實用性強。通過增加鋁基體中硅的過飽和度，形成的硅顆粒提高了鋁基復合材料的強度。通過調整硅的體積分數(shù)，可以得到不同性能的高硅鋁合金材料。

　　高硅鋁合金的密度在2.3～4.7g/cm3之間，熱膨脹系數(shù)(CTE)在7～20ppm/℃之間。增加硅含量可以顯著降低合金材料的密度和熱膨脹系數(shù)。同時，高硅鋁合金還具有良好的導熱性、較高的比強度和剛度，與金、銀、銅、鎳涂層具有良好的性能，可焊接到基體上，易于加工。

　　電子封裝材料是一種應用前景廣闊的電子封裝材料，特別是在航空航天、空間技術、便攜式電子器件等高科技領域[1] 高硅鋁合金(AlSi)由硅和鋁組成，是一種金屬基熱管理復合材料。

　　硅鋁合金球能保持硅和鋁的優(yōu)良性能，硅和鋁的含量相當豐富。硅粉制備工藝成熟，成本低。同時，這種材料不污染環(huán)境，對人體無害。